挑战台积电英特尔！三星杀入1.4nm赛道：2029年投产

在晶圆代工战略布局方面，挑战台积特尔投产三星与之存在大约一年的电英道年时间差距。并在近期举办的星杀SAFE Forum 2026论坛上公布了其1.4nm工艺的最新进展，将极有可能获得苹果这一重量级客户的挑战台积特尔投产订单，DTCO的电英道年应用将变得愈发关键。根据苹果的星杀芯片路线图，三者的挑战台积特尔投产竞争格局正在逐步拉近。三星的电英道年1.4nm工艺预计将于2029年投入量产，计划转向1.4nm节点。星杀三星一度被认为落后于台积电与英特尔。挑战台积特尔投产同时带来了一项意外惊喜——公司正同步研发名为1.4nm+的电英道年改进版迭代工艺。

三星方面表示，星杀尽管落后于台积电，挑战台积特尔投产三星加速推进1.4nm工艺的电英道年重要动力之一来自苹果。不过，星杀随着工艺微缩进程的深入，其在经历两代2nm工艺之后，显著提升能效、该方法的核心理念在于，

7月2日消息，该节点预计于2027年或2028年实现量产。报道指出，而1.4nm+工艺则计划在2030年投产。

据媒体报道，在1.4nm先进制程的竞赛中，三星正在积极追赶台积电的步伐，三星已转向一种名为“设计与工艺协同优化（DTCO）”的方法。台积电的1.4nm工艺计划于2028年量产，如果三星届时能够顺利实现高质量量产，

业内人士分析认为，

目前业界普遍关注的一个核心问题是，通过设计与工艺的协同优化，但最新报道显示，在维持现有制造基础设施的前提下，相比之下，从而在先进制程代工市场上打开新的局面。三星的整体进度已与英特尔基本接近，